Установка DC/RF магнетронного нанесения многослойных металлических и диэлектрических покрытий «КРАУДИОН-М2-19/4»

Установка «КРАУДИОН-М2-19/4» разработана в кооперации с ООО «Промтехсервис» (г. Москва) и предназначена для магнетронного нанесения многослойных металлических и диэлектрических покрытий на гибкую подложку Установка обеспечивает проведение следующих технологических операций:
— безмасляная высоковакуумная откачка вакуумной технологической камеры с использованием форвакуумного спирального насоса и 2-х криогенных насосов;
Рис. 1. Общий вид установки «КРАУДИОН-М2-19/4»
– напуск рабочего газа в технологические устройства;
– предварительная ионная очистка напыляемой подложки на барабане;
– нанесение чередующихся многослойных пленочных металических и диэлектрических слоев с заданными свойствами DC и RF магнетронным распылением;
– кварцевый контроль толщины напыляемых покрытий;
– масс-спектрометрический контроль состава остаточной среды и рабочей смеси газов;
– управление от промышленного ПЛК и сенсорной операторской панели: ручной и автоматический режимы работы.
Рис. 2. Состав установки «КРАУДИОН-М2-19/4»
1 – порт для присоединения масс-спектрометрической системы анализа состава газовой среды и масс-спектрометрическая система, 2 – свободный порт для присоединения DC и RF магнетронов, 3 – RF магнетрон РМ1-700×150-02WA/RF, 4 – регулируемая заслонка, 5 – порт для присоединения преобразователя давления и преобразователь давления, 6 – криогенный вакуумный насос, 7 – форвакуумный спиральный насос ISP 1000, 8 – форвакуумный трубопровод, 9 – система напуска газов, 10 – приставная рама, включающая электрические компоненты управления, систему подготовки и распределения сжатого воздуха и водяную систему, 11 — порт для присоединения преобразователя давления и преобразователь давления, 12 – порт на дверце камеры для присоединения источника ионов и источник ионов IST-600-02WA/WB, 13 – порт присоединения узла зацепления ДРТН283.01.45.000 барабана ДРТН283.01.03.000, 14 – каркас опорный для перемещения DC и RF магнетронов, 15 – электрическая лебедка для поднятия и опускания DC и RF магнетронов, 16 – DC магнетрон РМ1-700×150-02WA/DC, 17 – высоковакуумный затвор, 18 – угловой патрубок (90 градусов), 19 – порт для присоединения кварцевых датчиков системы контроля толщины напыляемых пленок
           Установка представляет собой вакуумную стойку – сварной рамный каркас из промышленного стального профиля, с закрепленной на нем вакуумной камерой. Установка комплектуется отдельно стоящими стойками питания и управления (2 стойки), а также электрошкафом с системой первичного распределения электропитания. В состав установки также входит приставная рама, включающая электрические компоненты управления, систему подготовки и распределения сжатого воздуха и водяную систему.
            Конструкция установки предусматривает свободный доступ к технологическим устройствам (протяженным DC и RF магнетронам, источнику ионов) без необходимости демонтажа барабана с напыляемой подложкой. Размеры и конфигурация фланцев вакуумной камеры позволяют извлекать наружу протяженные магнетроны и источник ионов на их присоединительных фланцах, без их частичной или полной разборки.
Напылительную систему установки составляют:
– протяженный DC магнетрон РМ1-700×130-02WA/DC для распыления металлической мишени;
– протяженный RF магнетрон РМ1-700×130-02WA/RF для распыления диэлектрической мишени (SiO2);
– протяженный источник ионов IST-600-02WA/WB для очистки и активации поверхности гибкой подложки перед напылением на нее металлических и диэлектрических слоев, а также для ионного ассистирования непосредственно в процессе напыления пленки или для модификации поверхности и свойств уже напыленных слоев;
– изолированный водоохлаждаемый барабан для гибкой подложки.
Рис. 3. Рабочие зоны вакуумной технологической камеры установки «КРАУДИОН-М2-19/4»
На установке также реализованы следующие функции:
— четкое разделение вакуумной технологической камеры на рабочие зоны, исключение взаимного влияния технологических устройств;
— регулировка расстояния от мишеней магнетронов до барабана с гибкой подложкой в вакуумной камере для оптимизации равномерности напыления и электронного воздействия на напыляемую пленку;
– водоохлаждаемые аноды магнетронов и регулируемое положение анодов по отношению к мишеням магнетронов для оптимизации электронного и теплового воздействия на гибкую подложку в процессе напыления;
– удобство демонтажа магнетронов и источника ионов при помощи механизмов извлечения из окон вакуумной камеры для замены мишеней и обслуживания;
– распределенный по длине магнетронов и источника ионов равномерный напуск рабочего газа/смеси газов;
расширение диапазона рабочего давления магнетронов при помощи 2-х шевронных заслонок на высоковакуумных магистралях, с плавной регулировкой положения их закрытия;
– подача на барабан потенциала смещения с изменением полярности при помощи специального устройства коммутации и измерение ионного/электронного тока из разряда
– для охлаждения технологических устройств и вакуумной камеры применяются 3 чиллера (преобразователи температуры рефрижераторного типа с водяным охлаждением).
Рис. 4. Технологические устройства: DC магнетрон с мишенью АРМКО и RF магнетрон с мишенью SiO2
Рис. 5. Технологические устройства: источник ионов и барабан для гибкой подложки

Система управления установки — промышленный PLC-контроллер c необходимыми модулями ввода/вывода (дискретного, релейного, аналогового, удаленного доступа).

Система управления обеспечивает:
– программируемый оператором выбор технологических устройств, режимов обработки подложки и последовательности техпроцессов (ионная очистка, DC режим напыления, RF режим напыления), а также количества циклов для выполнения в автоматическом режиме;
– автоматический режим откачки вакуумной камеры до высокого вакуума;
– автоматический напуск рабочего газа  по 3-м каналам и поддержание его постоянного расхода в каждом процессе для режимов: ионная очистка, DC режим напыления; RF режим напыления;
– изменение электрического состояния барабана с напыляемой подложкой (1 — изолированное, 2 — заземленное, 3 — подключение к блоку питания потенциала смещения переменной полярности) при помощи специального устройства коммутации в соответствии с заданием оператора для каждого циклического процесса;
– автоматический режим работы и стабилизацию параметров ионного источника, DC магнетрона и RF магнетрона (расход/давление рабочего газа, напряжение, DC мощность, RF мощность), с возможностью изменения параметров в режиме настройки;
– автоматическое завершение процесса напыления DC магнетрона и RF магнетрона по достижении заданной толщины пленки по сигналу кварцевого датчика или по времени;
– программируемый оператором режим работы заслонок кварцевых датчиков для продления ресурса кварцевых кристаллов;
– функцию учета работы магнетрона (кВт×час) от момента замены распыляемой мишени на новую до ее критического отпыла, с последующим включением обратного отсчета времени до сигнализации о необходимости произвести замену мишени (ресурс мишени);
– необходимые блокировки (защита от аварийных ситуаций и ошибочных действий оператора), применение светозвуковой сигнализации;
– безопасное выключение установки с завершением/прерыванием текущего технологического процесса и корректное завершение работы устройств и управляющей программы от источника бесперебойного питания (ИБП) в случае аварийного отключения электропитания установки.
Рис. 6. Вид экранных окон «СИСТЕМА НАПЫЛЕНИЯ» и «НАСТРОЙКИ ТЕХПРОЦЕССА» на сенсорной панели управления
Основные технические характеристики установки «КРАУДИОН-М2-19/4» представлены в таблице:
Наименование параметраЕдиница измеренияЗначение
Предельное давление внутри вакуумной камерыПа2.66×10-4
Рабочее давление внутри вакуумной камерыПа6.65×10-4
Время выхода вакуумной системы на режиммин30
Время выхода вакуумной системы на режим (с учетом захолаживания крионасосов)мин150
Размеры мишеней магнетронов: длина×ширинамм706/700× 136/130
Максимальная площадь запыляемой поверхности барабанам21.88
Диапазон подаваемого на барабан потенциала смещенияВ-200÷+200
Максимальный ток, снимаемый с барабанаА20
Диапазон регулирования расстояния внутри вакуумной камеры
от мишеней магнетронов до барабана с напыляемой подложкой
мм50÷110
Максимальный ток DC режима распыленияА30
Максимальная мощность RF режима распыления (частота 13,56 МГц)кВт5
Максимальный ток источника ионовмА600
Толщина напыляемых пленок многослойной композициимкм0.001÷100
Относительная неравномерность толщины напыляемых пленок
на гибкую подложку
%±10
Расход воды на охлаждение (температура ~20°С)л/час5000
ЭлектропитаниеВ, Гц3×380, 50
Максимальная электрическая мощность (с учетом оснащения установки 2-мя DC магнетронами и 2-мя RF магнетронами с их блоками питания)кВт120
Занимаемая площадь (с учетом механизмов извлечения магнетронов в их горизонтальном положении, 2-х стоек питания
и управления, 2-х компрессоров крионасосов, 3-х чиллеров, рабочего стола оператора)
м250

 

К списку продукции

Новости

Контактная информация

Адрес:        117105, г. Москва, Нагорный проезд, д. 7, стр. 1
Телефон:   +7(495)580-3410
Факс:           +7(495)580-3410
Email:           plasma@iontecs.ru